MMBFJ177LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
| от 1 | 12.93 ₽ |
| от 256 | 11.55 ₽ |
| от 511 | 10.44 ₽ |
| от 1021 | 9.51 ₽ |
| от 2041 | 8.90 ₽ |
13.45 ₽
MMBFJ177LT1G
Описание MMBFJ177LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
Характеристики
| Вес | 0.0300 грамм |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Описание | Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт |
MMBFJ177LT1-D.PDF 
