SGT50T65FD1PN
| от 1 | 123.36 ₽ |
| от 33 | 115.65 ₽ |
| от 55 | 111.37 ₽ |
| от 93 | 107.95 ₽ |
| от 154 | 105.16 ₽ |
| от 1 | 142.50 ₽ |
| от 17 | 132.93 ₽ |
| от 30 | 125.12 ₽ |
| от 90 | 119.31 ₽ |
| от 150 | 114.98 ₽ |
| от 1 | 123.36 ₽ |
| от 33 | 115.65 ₽ |
| от 55 | 111.37 ₽ |
| от 93 | 107.95 ₽ |
| от 154 | 105.16 ₽ |
| от 1 | 142.50 ₽ |
| от 17 | 132.93 ₽ |
| от 30 | 125.12 ₽ |
| от 90 | 119.31 ₽ |
| от 150 | 114.98 ₽ |
| от 1 | 190.98 ₽ |
| от 12 | 178.96 ₽ |
| от 23 | 169.17 ₽ |
| от 50 | 161.86 ₽ |
| от 100 | 156.43 ₽ |
| от 1 | 47.68 ₽ |
| от 24 | 45.30 ₽ |
| от 50 | 43 ₽ |
| от 100 | 41.15 ₽ |
| от 200 | 40.14 ₽ |
| от 1 | 134.44 ₽ |
| от 30 | 126.31 ₽ |
| от 51 | 121.80 ₽ |
| от 85 | 118.19 ₽ |
| от 142 | 115.23 ₽ |
| от 1 | 142.19 ₽ |
| от 9 | 136.60 ₽ |
| от 18 | 131.20 ₽ |
| от 30 | 126.90 ₽ |
| от 90 | 124.55 ₽ |
| от 1 | 2 339.53 ₽ |
| от 2 | 2 233.43 ₽ |
| от 3 | 2 147 ₽ |
| от 5 | 2 082.85 ₽ |
| от 10 | 2 035.12 ₽ |
Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
| от 1 | 9 332.02 ₽ |
| от 2 | 9 013.71 ₽ |
| от 3 | 8 761.06 ₽ |
| от 4 | 8 538.81 ₽ |
| от 5 | 8 388.54 ₽ |
Модуль IGBT 1200В 300А
| от 1 | 4 255.38 ₽ |
| от 2 | 4 074.74 ₽ |
| от 3 | 3 927.61 ₽ |
| от 4 | 3 818.39 ₽ |
| от 6 | 3 737.16 ₽ |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
| от 1 | 387.25 ₽ |
| от 7 | 365.17 ₽ |
| от 13 | 347.17 ₽ |
| от 26 | 333.81 ₽ |
| от 51 | 323.85 ₽ |
Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А
| от 1 | 10 743.71 ₽ |
| от 2 | 10 559.16 ₽ |
| от 3 | 10 453.20 ₽ |
| от 4 | 10 387.77 ₽ |
| от 5 | 10 334.74 ₽ |
Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая просмотр, вы соглашаетесь с нашей политикой конфиденциальности.