MG25P12E1
| от 1 | 2 438.03 ₽ |
| от 2 | 2 327.46 ₽ |
| от 3 | 2 237.41 ₽ |
| от 5 | 2 170.54 ₽ |
| от 10 | 2 120.81 ₽ |
2 401.51 ₽
| от 1 | 2 438.03 ₽ |
| от 2 | 2 327.46 ₽ |
| от 3 | 2 237.41 ₽ |
| от 5 | 2 170.54 ₽ |
| от 10 | 2 120.81 ₽ |
Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
| от 1 | 9 332.02 ₽ |
| от 2 | 9 013.71 ₽ |
| от 3 | 8 761.06 ₽ |
| от 4 | 8 538.81 ₽ |
| от 5 | 8 388.54 ₽ |
Модуль IGBT 1200В 300А
| от 1 | 4 434.55 ₽ |
| от 2 | 4 246.31 ₽ |
| от 3 | 4 092.98 ₽ |
| от 4 | 3 979.16 ₽ |
| от 6 | 3 894.51 ₽ |
Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А
| от 1 | 11 196.09 ₽ |
| от 2 | 11 003.76 ₽ |
| от 3 | 10 893.34 ₽ |
| от 4 | 10 825.15 ₽ |
| от 5 | 10 769.89 ₽ |
IGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3
| от 1 | 9 102.40 ₽ |
| от 2 | 9 034.70 ₽ |
| от 3 | 8 954.51 ₽ |
| от 4 | 8 856.23 ₽ |
| от 5 | 8 729.37 ₽ |
| от 1 | 3 998.33 ₽ |
| от 2 | 3 827.34 ₽ |
| от 3 | 3 688.07 ₽ |
| от 4 | 3 584.70 ₽ |
| от 6 | 3 507.80 ₽ |
IGBT модуль 1700В, 500А, корпус 62 мм
| от 1 | 19 555.66 ₽ |
| от 2 | 19 156.54 ₽ |
| от 3 | 18 772.30 ₽ |
| от 4 | 18 467.31 ₽ |
| от 5 | 18 299.46 ₽ |
Биполярный транзистор IGBT
| от 1 | 5 499.08 ₽ |
| от 2 | 5 270.08 ₽ |
| от 3 | 5 083.56 ₽ |
| от 4 | 4 945.12 ₽ |
| от 5 | 4 842.12 ₽ |
Модуль полумостовой IGBT 650В 150А
| от 1 | 1 520.01 ₽ |
| от 2 | 1 478.82 ₽ |
| от 3 | 1 439.16 ₽ |
| от 4 | 1 407.66 ₽ |
| от 10 | 1 390.33 ₽ |
Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая просмотр, вы соглашаетесь с нашей политикой конфиденциальности.