MMBFJ175LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
| от 1 | 21.98 ₽ |
| от 96 | 19.77 ₽ |
| от 192 | 17.94 ₽ |
| от 383 | 16.55 ₽ |
| от 766 | 15.53 ₽ |
MMBFJ175LT1G
Описание MMBFJ175LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Характеристики
| Вес | 0.0300 грамм |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Описание | Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
MMBFJ175LT1-D.PDF 
