MMBFJ113
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
| от 1 | 17.42 ₽ |
| от 117 | 15.57 ₽ |
| от 234 | 14.03 ₽ |
| от 467 | 12.86 ₽ |
| от 934 | 11.99 ₽ |
MMBFJ113
Описание MMBFJ113
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Характеристики
| Вес | 0.0300 грамм |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Описание | Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт |
J111.pdf 
