GT50JR22
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
| от 1 | 142.45 ₽ |
| от 29 | 134.01 ₽ |
| от 48 | 129.35 ₽ |
| от 80 | 125.62 ₽ |
| от 134 | 122.52 ₽ |
| от 1 | 163.45 ₽ |
| от 50 | 154.68 ₽ |
| от 100 | 148.81 ₽ |
| от 200 | 143.65 ₽ |
| от 375 | 140.15 ₽ |
GT50JR22
Описание GT50JR22
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Характеристики
| Вес | 6.508 грамм |
| Корпус | TO-3PN |
| Описание | Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт |
| Напряжение | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 230 |
GT50JR22-Toshiba.pdf 
